承德石油高等专科学校学报

2021, v.23;No.108(03) 33-36+60

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基于TRIZ解决PECVD设备中SiN_χ在气路中的有害沉积
Resolution of Harmful Deposition of SiN_χ in Gas Path of PECVD Equipment Based on TRIZ

李莉;耿小丕;王峰;杨瑞臣;

摘要(Abstract):

SiN_χ膜层作为太阳能电池的减反射膜起到了钝化和减反射的作用。在太阳能电池制备过程中,主要是利用PECVD(等离子体化学气相沉积)设备生长厚度为70~85 nm的SiN_χ膜层。然而,随着生产设备连续运行,SiN_χ将不断地沉积在特气孔上导致工艺腔室中反应气体均匀性变差,进而影响太阳能电池的转化效率。在实际生产过程中,PECVD设备连续运行约150 h,需要对设备进行约3-4 h的维护,从而降低了该设备的太阳能电池生产率,增加了太阳能电池成本。基于TRIZ理论,通过功能模型、因果分析对系统存在的问题进行了深入分析,进而利用矛盾矩阵获得众多方案。最终,将特气孔用液体隔离避免了SiN_χ的沉积,将PECVD设备的维护时间缩短到0.5 h,运行周期达1 400 h,大大提高了设备生产率。

关键词(KeyWords): TRIZ;PECVD;SiN_χ膜;太阳能电池

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 河北省高等学校科学技术研究项目:ZD2020303,Z2020204

作者(Author): 李莉;耿小丕;王峰;杨瑞臣;

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DOI: 10.13377/j.cnki.jcpc.2021.03.008

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